Главная Промышленная автоматика.

базы. А применяя для обозначения этих малых изменений милые твоему сердцу «дельты», я бы написал следующую формулу входного сопротивления:

л. - Незнайкин, уж ие проглотил ли ты целую гигантскую камбалу, фосфор которой заставляет твою голову так интенсивно работать? Уж коль скоро ты продемонстрировал свои способности, попробуй-ка рассчитать по одной из своих кривых величину входного сопротивления твоего транзистора?

Н. - Нет ничего проще. Для этого нужно вернуться к кривой на рис. 43, показывающей, как изменяется /б в зависимости от t/б. Мы видим, что при переходе от 0,5 к 0,6 в ток изменяется примерно на 1 ш, а Rn-K., как известно, можно рассчитать, разделив 0,1 на 1, что даст нам 0,1 ом.

Л. - Не стыдно ли тебе, Незнайкин, в твои годы путать миллиамперы с амперами?

Н. - О, простите! Я должен был разделить 0,1 в на 0,001 а, что даст мне = 100 ом.


Очень полезное соотношение

л. - Вот это лучше. А чтобы наказать тебя за эту ужасную ошибку, я дам тебе решить небольшую задачу: помножь крутизну на внутреннее сопротивление, используя определения этих величин.

Н. - Ну, это просто:

Шб д/б

д/ft

Раньше я сомневался, что когда-нибудь справлюсь с подобными задачами. Итак, усиление по току равно произведению крутизны на входное сопротивление. Это напоминает мне соотношение, выведенное ранее для ламп: ц = S X Лвн, где Лвн, однако, обозначает выходное сопротивление.

Л.-Можешь ли ты проверить, соответствует ли это равенство параметрам, которые ты рассчитал для своего транзистора?

Н. - По кривой на рис. 44 в районе 0,5 в крутизна составляет 500 или 600 жа/в, или в среднем 0,55 aje. Если умножить крутизну на входное сопротивление в той же точке (а там оно равно 100 ом), то получим 55, что как раз соответствует найденному нами усилению по току.

л. - Все идет к лучшему в этом лучшем из миров! Заметь попутно, Незнайкин, что обычно коэффициент усиления почти не изменяется от увеличения тока коллектора. Что же касается крутизны, то, как мы видели, она возрастает при повышении тока /к-

Н. -Отсюда я делаю вывод, что если наше равенство S X/?вх. = р остается в силе, то при увеличении тока коллектора входное сопротивление должно снижаться.,



Все кривые на одном графике

л.- Устами младенцев глаголет истина... А теперь надо тебе сказать, дорогой друг, что различными данными, распыленными по снятым тобой кривым, будет значительно легче пользоваться, если ты возьмешь на себя труд составить по результатам своих измерений график, показывающий, как изменяется ток коллектора при изменении напряжения на нем.

Н. - Если я правильно понял, речь идет о кривых, аналогичных кривым, характеризующим анодный ток в зависимости от анодного напряжения.

Л. - Совершенно верно.

Н. -А при каком напряжении иа базе я должен снимать такие кривые?

>




л.- Вычерти серию кривых для ряда значений Пб. Установи, например, для начала 0,2 в. Затем, начиная с нуля, повышай постепенно напряжение иа коллекторе и записывай соответствующие значения тока /к (рис. 46).

Н. - Это очень любопытно. Начиная от нуля ток достигает величины 20 ма при напряжении менее 2 в и затем совершенно перестает нарастать, даже если напряжение иа коллекторе Довести до 24 в. Нем это объяснить?

; 1.

к»

j

" Д

Зма

-----

----

----

о,ев

----

350ме

0,5в

. 1ма

0,3в

о,гв

в 12 16 0 2в

Рис. 46. Зависимость тока коллектора 1 от напряжения коллектора при различных значениях напряжения базы J/g и тока базы /g (для того же транзистора средней мощности, что и на рис. 43, 44 и 45).


л. - Ты столкнулся с явлением насыщения. Когда все носители зарядов, вызванные к жизни приложенным между базой и эмиттером напряжением, участвуют в образовании тока коллектора, ты можешь сколько угодно повышать напряжение коллектора...

Н. ...самая красивая девушка в мире не может дать больше, чем она имеет.

л. - Теперь, когда ты снял кривую при = 0,2 в, можешь снять

Z." другие кривые, например при t/e = 03 в, и т. д. Впрочем, ты можешь устанавливать ие то или иное значение напряжения базы, а ряд значений тока базы /б. Кривые для такого случая показаны иа рис. 46 пунктиром. Как видишь, мы моженг, получить два семейства кривых, показывающих зависимость тока коллектора от напряжения коллектора при различных значениях либо напряжения базы, либо тока базы. Говорят, что эти последние значения, которые устанавливаются для каждой из кривых, являются параметрами семейства характеристик.



сходства и различия

н. -Эти почтенные семьи во многом похожи на те семейства, которые показывают, как у вакуумных ламп анодный ток изменяется в зависимости от анодного напряжения, когда в качестве параметра принято сеточное напряжение. Особенно поразительное сходство наблюдается с пентодами (рис. 47).



(ШЛО

гоов

Рис. 47. Зависимость анодного тока /д пентода от анодного напряжения при различных значениях смещения на управляющей сетке C/j.

гООмка

-"1-

1 /

гюмв

ггомв

гоомв

r t .

loomca

1вОмв ЮОмв

У"

шОмв

ЮОмв Омт

----f

0,1 а,г 0,3 а,, о,5 о,св


Рис. 4Я. Выходные характеристики транзистора малой мощности. На левом графике мае штаб напряжений коллектора растянут, чтобы лучше пиказать, что происходит в области малых напряжении.





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 [15] 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36

0.0035