Главная Промышленная автоматика. 15 ±0,1 0,5* Таблица 1
Таблии,а 2
1.*РазмЕры для справок. 2. Поверхность А по-пиродоиная. 3. Конфиеурацию пленочных элементов выполнять по координатам, приведенным в табл. 3-7- полнттся через маски тост4гв.о54.гза. 5. изготовление слоев платы производить согласно табл. 1. 6. Сопротивление Н и емкость С должны соответствовать значениям табл. 2. АБВГ.ХХХХХХ.002
Плата Микросхема Тепологический чертеж Ситалл СТВО-1 ТХ о. 735.062 ТУ пшщ ктмл чошл 10:1 лист11 листов в Рис. 8,5. Топологический чертеж гибридной тонкопленочпой микросхемы (1-й лист) 202 ее lOo-xxxxxx-JBSv 75 В Вход сг VB 1\ Выход -6 Поз. Наименодание Конденсаторы Ка/г Примечание г00пФ±15%; 1Z В Резисторы 1,Z кОм± ; 0.0Z 6т RZ...Rt 510 Ом± 70-Л ; В,Ог Вт Матрии,а диодная 2Д10А ЩИ 3.360.001 ТУ Транзистор кремниевый zT3ieB щи з.звв.оог ту Изм. Лист Разраб. Пров. Т. контр. W докум. Подпись Цата АБВГ.ХХХХХХ.001.33 Микросхема гибридная tOI ПУ1 Схема электрическая прици,ипиальиая Пист {Листов 1 Н. контр. Утв. Рнс. 8.6. Схема электрическая принципиальная тонкоплеиочной гибридной ИС НИКИ, контактные площадки, обкладки конденсаторов заштриховывают тонкими линиями с углом наклона к контуру чертежа 45°, различая их между собой направлением и частотой штриховки. Диэлектрический слой ограничивают штрихпунктирной линией, а защитный - штриховой по ГОСТ 2.306-68. На рис. 8.5 приведен пример выполнения топологического чертежа платы гибридной тонкопленочной ИС. Для построения топологического чертежа использована схема электрическая принципиальная, приведенная иа рис. 8.6. На схеме изображены все элементы и компоненты и электрические связи между ними Вид на резистидный слой Таблица 3 3 10
1. Размеры для справок
Рис. 8.7. Топологический чертеж резистивного слоя гибридной тонкопленочной микросхемы {2-й лист) ПО ГОСТ 2.702-75. Перечень элементов помещен на первом листе в виде таблицы. На топологическом чертеже изображена плата после нанесения последнего слоя. Условные обозначения слоев и их технические характеристики помещены в табл. 1 на поле чертежа. Внешним контактным площадкам присвоены порядковые номера, которые проставлены условно по часовой стрелке, начиная с нижней левой площадки; внутренним площадкам также присвоены номера. Пассивные пленочные элементы обозначены в соответствии с электрической принципиальной схемой. Местоположение навесных элементов {микротранзисторов) показано метками в виде уголка на резистивном слое. По топологическому чертежу платы разрабатывают чертежи слоев микросхемы по элементам (резисто-. ры, проводники, контактные площадки, обкладки конденсаторов, диэлектрики и т. д.). На рис. 8.7 приведен чертеж рези- стивного слоя, оформленный последующим {вторым) листом. Он выполнен в том же масштабе, что и чертеж платы. Размеры и расположение пленочных элементов заданы координатным способом. Каждому элементу присвоено буквенно-цифровое обозначение по топологическому чертежу. Верщины прямоугольников последовательно пронумерованы, начиная с левого нижнего угла по часовой стрелке в пределах чертежа. Таблица координат составлена в порядке возрастания; в ней приведены координаты всех вершин. На последующих листах топологического чертежа изображаются отдельные слои. На плату ИС устанавливают навесные элементы и компоненты в соответствии с принципиальной схемой. Такие платы оформляют как сборочные чертежи в соответствии с требованиями ГОСТ 2.109 73. На рис. 8.8 приведён пример выполнения сборочного чертежа ИС. Он содержит изображение платы с навесными элементами и сведения о соединении 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 [66] 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 0.0021 |