дЮ SYYJXXJSSV. I

4 места

Уатдте сШна-чсние слоя

наиметйате слоя

Проводники, контактные площадки и нижние одкладки конденсатора

Диэлектрик

Верхние одкладки коиденса -

торов

Резистивный. слои

Материал слоя

Наименодание, марка

Паста пп-5

0CT1W73. 025-7t

Паста ПК1000-30

Ласта ПП-г

Ласта

пр-гок

roczocT, ту

Электрические характе-ристани

ОСТ п.07 OZd-74

OCT71.073. 023-74

0СТ11.П73.

агз-7i-

Таблица 1

HoHsp

mem чертежа

С = ЗШ

R=WOOM/n

Ro30n/a

3,11

Точки измерения

Таблица г

Расчетный номинал и допуск

moHizs%

mOMt25%

1-1В г,г«ом1-г!%

8ZntZS%

8Zn9iZ5%

1. Плата должна соотВестводатьУостг78В-73. 2*Размеры для справок.

J. Координаты Верилин элементов словВ приведены В АВ21В0.33Ч-ТВ. Допустимые превельные отклонения размеров элементов ±0,1 кроме мест, оговоренных особо.

4 UuippuMU l-78иалисте 3 обозначены радиусы

контактных площадок. Радиусы контактных площадок д.вмм.

S. Электрические характеристики и данные по изготовлению отдельных слоев приведены В таблице 1. Величины сопротивлений резисторов и емкостей конденсаторов должны соатВетствовать данным, указанным В таблице 2. Отношение номиналов резисторов г/5=в/зЬед,а; R,/Ry = 0,9f 1,1. 8. Нумерация контактных площадок и обозначения

элементов показаны условно и соответствуют схеме электрической принципиальной ЛБЗ.Ч70. 018.ЭЗ.

изм. лист

Разраб.

Т. к с

н.кантр.

ПоЗп.

А6ВГ.ХХХКХК.015

Заготовка АБ?.В17.0$Ч

Масса \Масшт.

.Лист 1 \листсеэ

Рис. 8.14. Топологический чертеж гибридной толстоплеиочной микросхемы (1-й лист)

Рнс. 8.15. Топологический чертеж гибридной толстопленочной микросхемы, вид сзади (Й-й лист)

Вид на слой с прсМииками и тнтвктньти площвдкапи

ff S 7

5 «

l> 1 г 3 4 S 6 7 в S 10 и 12 13 I* IS W 17 18 tS 20

Рис. 8.16- Топологический чертеж слоя с проводниками и контактными плои1адками гибридной толстопленочной микросхемы (3-й лист)

20,2-0,2}

-ф- -ф- -ф- Ф -ф- -ф- -ф- -ф

f> <.У <)- о <У 5-

в,е±о,1

17,6 ±0,1

0,2„ах по контуру

ipoa.

Гноите.

н.контр.

Утв.

тиохум.

Подп

Лота

АВВГ.ХХХХХХ. 025

Материал керамический 22ХСЛеО.В27.0огГУ

Лит.

Масса

0,5Jr Лист I листоЛ 1

Масшт. 10=1

Рис. 8.17. Чертеж платы гибридной толстопленочной микросхемы

ра аа

Паяное (сварное) / соединение

Клеевое саевинение

Свевинение с помощью контактора

Рис. 8.18. Чертеж плвстины с выводами гибридной толстоплеиочной микросхемы