МИКРОСХЕМА К174УН9

Микросхема К174УН9 представляет собой усилитель мощности низкой частоты с номинальной выходной мощностью 5 Вт при нагрузке 4 Ом. Микросхема имеет защиту выхода от коротких замыканий и перегрузок (рис. 4-51, а). Типовая схема включения микросхемы К174УН9 приведена на рис. 4-51, б. Номинальное напряжение питания микросхемы плюс 18 В. Допустимые отклонения напряжения источника питания от номинального ±10%. Предельно допустимое напряжение питания микросхемы при отсутствии входного сигнала плюс 22 В.

В зависимости от коэффициента гармоник и полосы пропускаиия микросхемы К174УН9 делятся на группы А и Б.

Электрические параметры микросхем К174УН9А, К174УН9Б при номинальном напряжении питания и >Яи=4 Ом приведены в табл. 4-24.

Не допускается применение микросхемы без дополнительного теплоотвода.

При температуре корпуса микросхемы выще 55°С максимальная рассеиваемая мощность Рмакс рассчитывается по формуле

Рмакг. -

кр.макс~"°Р кр-кор

150-бдор 12

где виор - температура корпуса микросхемы, измеренная на тепЛоотводе микросхемы у основания корпуса; еир.макс=.150С - максимальная температура кристалла (величина условная), при которой гарантируется надежная работа микросхемы; /?кр-кор=12 град/Вт - тепловое сопротивление от кристалла к

KODIIVCV

Допускается эксплуатация микросхемы К174УН9 при напряжении питания менее 18 В. При понижении напряжении питания соответственно снижаются

Рнс. 4-51. Принципиальная схема микросхемы К174УН9 (с) и типовая схема ее включения (б).

30 26

18 14 10

10 14 78 ггв

Рис. 4-52. Зависимость тока потребления микросхемы К174УН9 от напряжения питания.

6 5 Ч-

6 6 10 12 14 16 18 20 В

Рнс. 4-53. Зависимости выходной мощности микросхемы К174УН9 от напряжения питания при различных значениях сопротивления нагрузки.

* Напряжение шумов на выходе микросхемы (не нриведеиное к входу).

ТОК, потребляемый микросхе.мой, и выходная мощность (рис. 4-52 л 4-53). Ми-ни.мальное напряжение питания плюс 5,4 В.

Микросхема К148УН9 может работать на сопротивлении нагрузки более 4 Ом, при этом уменьщается выходная мощность микросхемы (рис. 4-53). Од-

<? Вт

5 Ч 3

8-52

1 Z 3 Ч 5 е 7 Вт

Рис. 4-54. .Зависимости Рис. 4-55. Зависимости мощности, рас-

к- п. д. микросхемы сеизаемой микросхемой К174УИ9, от

К174УН9 от выходной выходной мощности при различных зна-

мощ1юсти при различных чениях сопротивления нагрузки, значениях сопротивления нагрузки.