10 О

10 10 10 10"*, Га,

Рис. 2.3 а. Амплитудно-частотная характеристика ИМС К174УН4А.Б

Рв. г

10 10 10 wwfru,

. Рий 2.3 в. Зависимость коэффициента гармоник от частоты для ИМС К174УН4Л.Б

Кг, % 8

8 и.п,й

Рис. 2.3 б. Зависимость выходной мощности от напряжения питания для ИМС К174УН4АБ

Электрические параметры ИМС К174УН4 при (25±10)»С и t/„.„„,„=9 В

Номинальная выходная мощность Р Вт, при J?=4 Ом:

ИМС К174УН4А.............................................Г

ИМО К174УН4Б............................................0.7

Номинальное сопротивление нагрузки

л„, Ом...........:.................................................................4

Диапазон рабочих частот, кГц........................0,03...20

Коэффициент усиления по напряжению

при f=\ кГц.....;....................................:......4...40

Коэффициент гармоник 9i. при выходной мощности:

1 Вт (ИМС К174УН4А). не более...........................................................................2

0.7 Вт (ИМС К174УН4Б), не

более.....................................................................2

Входное сопротивление Л. кОм, не

менее...........................................................................10

~ ч

10 10" 1 Р,Вт

Рис. 2.3 г. Зависимость коэффициента гармоник от выходной мощности для ИМС К174УН4.Л.Б

Нестабильность коэффициента усиления по напряжению, %, не

более..........................................................................±20

кпд, %, при выходной мощности:

1 Вт (ИМС К174УН4А), не

менее...................................................................5{

0,7 Вт (ИМС К174УН4Б), не

менее....................................................................3!

Ток потребления 1. мА, при f/g=0,

не более........................................................................К

Предельные эксплуатационные параметры микросхемы К174УН4 ►

Напряжение питания U, В:

минимальное.....................................................5.4

максимальное...................................................9.9!

, Фильтр

R1 20К

Вход 1

RF Ik

R6 Зк

Вход 2

R2 2,ЧК

Коррекция 1

R4 SOO

R3 З.Зк

Вомтдо5а8ка. -в

CvT6

5ыход

VT1Z

OSmuci

- 1 1

Коррекция 2

05щий

Рис. 2.4 а. Принципихтьная схема ИМС К174УН5

Максимальное амплитудное значение

тока в нагрузке Ij, мА

ИМС К174УН4А...........................................860

ИМС К174УН4Б.........................................-600

Температура кристалла, °С, не

более.............................................................................125

Тепловое сопротивление на гр;анице

кристалл-окружающая среда, °С, не

более....................................................................

Тепловое сопротивление на границе

кристалл-корпус, °С/Вт, не более...........

+ 12В

Общий Выход

Фильтр 135 Вход 2

Offtuuu

Коррекция 2

• Корреки,ия i , Вольтдобадка. Вход 7

Рис, 2.4 б. Расположение и назначение выэод ИМС К174УН5

Одщий -Г,

SOmk X iSB

R1 Ч7к

C2 R2 220

Вход

100 мкх 15 В

" + СЪ

10мк X 15В

R4- Ш

ПА1 ктун5

ЮООш " 15В

11 С5 " Ч-70 I

Ч7к IOOk IDDmk X15В

Рис. 2.4 в. Типовая схема включения ИМС К174УН5

3. •• t.XJ.t, >ii

Рис. 2.5 а. Зависимость вь1ходной мощности от напряжения питания при рапичных сопротивлениях нагрузки Х1Я ИМС К174УН5

нр ач.х, дБ

•9 10 11 12 Uyt,„,B

10 го 30 W 50 tj a

10 го 30 W SQUbxjE,

Рис. 2.6 а. Зависимость коэффициента гармоник от входного напряжения при рахтичной температуре окружающей среды для ИМС К174УН5

Рис. 2.6 б. Зависимость коэффициента гармо-гаж от частоты входного сигнала для ИМС К174УН5

Ш11£Я&>ШХ1>1ЛШки.к.......... .

Рис. 2.5 б. Зависимость выходной мощности от КПД Д1Я ИМС К174УН5

Рис. 2.5 в. Зависимость выходной мощности от сопротивления нагрузки при раз.1ичных напряжениях питания Л1Я ИМС К174УН5

ИМС К174УН5 (рис. 2.4) представляет собой усилитель мощности низкой частоты с номинальной вы.ходч ной мощностью 2 Вт на нагрузке 4 Ом. Состоит из входного каскада, (на транзисторах УТ/, VT2), согласующего каскада {VT3), каскада усиления напряжения (VTT) и выходного каскада lyT8...VTl2). Входной каскад выполнен по схеме дифференциаль- ного усилителя с несимметричны , выходом. С него сигнал через эмит терный повторитель на транзисто VT3 поступает на усилитель напря жения (утТ) и далее на квазиком лементарный выходной каскад, вц полненный на составных транзи pax VT8VTI1 и VT9VT10VTJ2. Н чальное смещение на базах транз сторов выходного каскада для рабо в режиме АВ задается транзисторам VT4...VT6. Применение ИМС без д , полнительного теплоотвода не допу скается. Нацряжение питания мо снижать до +9 В, при этом вых ная мощность усилителя уменьша ся (см. рис. 2.5 а). Зависимости новных параметров ИМС от режимо эксплуатации приведены на рис 2.5-2.7. •

-I -г

10f,ru,

Рис. 2.7. Зависимость коэффициента неравномерности АЧХ от частоты входного сигнала для ИМС К174УН5

Электрические параметры ИМС К174УН5 при 25±10Х и 12 В.

Ток потребления /. мА. при £/=0,

не бадее.

..30

Коэффициент усиления по напряжению

/Су. при V=Vi мВ........................................80...120

Нестабильность коэффициента усиления по напряжению Ау. не более.............................................................................±20

Коэффициент гармоник К. при

вых~2 " балее..

Входное сопротивление Л. кОм, при

/=1 кГц, 11 \ В, не менее...............................10

Полоса Воспроизводимых частот. Л/,

кГц, при и=\й мВ......................................0,03...20

Выходная мощность Я Вт. при

/=1 кГц и Xsl %, не менее..„...........................2

Предельные эксплуатационные параметры ИМС К174УН5

Напряжение питания V, В, не

более.................................. .....................................13Л

Входное напряжете В, не

более..............................................................................1,5

Входное синфазное напряжение V,

В, не более............V.............,......................................5Д

Амплитудное значение тока в нагрузке

(разового действия) д. А, не

более.....................................................;......................1,45

Сопротивление нагрузи! Л, Ом. не

менее........................„...................................................3,2

Температура кристалла, °С. не

более............................................................................125

Тепловое сопротивление на границе

кристалл-окружающая среда, °С/Вт,

не более...!................................................................1000

Тепловое сопротивление на границе

кристалл-корпус, °С/Вт, не более....................20

ИМС К174УН7 (рис. 2.8) является усилителем мощности звуковой частоты. При сопротивлении нагрузки 4 Ом и напряжении источника питания 15 В его максимальная выходная мощность - 4,5 Вт.

Входной каскад усилителя построен на составном транзисторе VTIVT2, нагрузкой которого является VTi, включенный как генератор тока. С эмиттерного повторителя на VT7, нагрузкой которого служат резистор R9 и транзистор VT6, усиленный по току сигнал подается на VT8 и VTtO. В качестве коллекторной нагрузки VTJO используется генератор тока на, транзисторе VT9 и термостабилизиру-ющий диод VD3.

Транзисторы VT4, VT5 с резисторами R3...R7 и диод VD2 в режиме покоя поддерживают выходное .напря-жение (на выводе 12) равным половине напряжения Предоконе* ный фазоинверсный каскад выполнен " на транзисторах VT14, VT11 разной структуры. Выходной каскад по дву!х-тактной схеме на транзисторах КГ/бу VT17 одинаковой структуры.

Ток покоя этих транзисторов задают генераторы тока на транзисторгвь VT12, VT13 и диоды VD4, VD5. Транзистор VT15 выполняет функ цию термостабилизатора выходною тока. К базе транзистора подключают внешнюю цепь, корректирующую ам плитудно-частотную характеристику на высоких частотах, а к выводу 6 - цепь обратной связи, с помощь. которой регулируют коэффициент усиления. 1

При работе ИМС в типовом вклю чении (см. рис. 2.8 в) коэффициен гармоник /Гр составляет от 2 до 10 % При включении микросхемы так, ка показано на рис. 2.8 г можно замети снизить коэффициент гармоник, этом случае в зависимости от экзем пляра ИМС коэффициент гармони на частоте 1000 Гц имеет значение интервале от 0,03 до 0,06 %. Искаже ния снижены благодаря изменени глубины внешней отрицательной об ратной связи. Чтобы уменьшить ко

Фильтр

обратная связь 6--

&код R1 2к ,

VT13

R8 Ч-К

RIO 1,7к

Корреки,ия 5--

R5 220

R6 Ч-к.

R9 Чк

R7 100

R11 2,Ък

VJJ3

ВольтдойаВка

-r-*

R17 230

VT14 Ц R14 120 i

R15 1.2К

VT16

Выход

МВЧ VB5

VT15

R12 53,5к

УТ17

72

Общий

10

R13 1,2 к

ОБш,ий

Вход

R2 100

VA1 нтун7

>м

ЮОмк

*2Sa - ¥„ Выход

6 SOOm * SB SB

J2 J7UUJ

cs sio

СБ 2700

ЮаОми *2SB

C7 0,1 MH

Рис. 2.8 в. "Шювая схема включения ИМС К174УН7

+ /5-S С1 ЮОмк У. 253

"Г

ОВщий

R1 ЗОк Ч7МКУ16В

вход

С2 1мк X165

R3 47к

им ктш

0V 0V

>М

R4 100

С6 ЮОмк 16 В

R5 1К

] R6

СЧ--

ЮОмк X16В 2000МК -ХШ Рис. 2.8 г. Улучшенная схема включения ИМС К174УН7

J. OjiMK

эффициент гармоник на высоких частотах в несколько раз должна быть уменьшена емкость конденсатора между выводами 5, 12 и удален конденсатор, включенный между общим проводом и выводом 5. Однако это может привести к самовозбуждению отдельных ИМС. В этом случае следует пойти на компромисс, включив между общим проводом и выводом 5 конденсатор емкостью 330 пФ, что, естественно, несколько увеличит коэффициент гармоник. В новом варианте включения ИМС изменена также цепь нагрузки, что уменьшает число конденсаторов. Коэффициент гармоник на частоте 20 кГц в зависимости от экземпляра ИМС имеет значение в интервале от 0,1 до 0,2 %.

Зависимости основных параметров ИМС от режимов эксплуатации приведены на рис. 2.9.

Полоса воспроизводимых частот А/,

кГц...................................................................:.......0,4...20

Входное сопротивление кОм, при

/=1 кП не менее...........................................„......50

КПД, %, при /=1 кГц и выходной

мощности Яь„=4,5 Вт, не менее......................50

Предельные эксплуатационные параметры ИМС К174УН7

Напряжение питания

минимальнное.....

максимальное.

Максимальное амплитудное, значение

..18

тока нагрузки /д, Al не более Амплитудное значение входного напря-

..1,8

жения 1/„ А, В, не более...

Электрические параметры HMd К174УН7 при 25±10=С и t/„,,„,„=15 В

Ток потребления мА при t/„=0.

Допусшмое постоянное напряжение U, . В, не более:

на выводе 7.......................................................15

на выводе 8.......~.................................-0,3...+2

Допустимая температура корпуса, °С, при температуре окружающей сре-

ды Т,=61УС, не более.

..85

не более..

..20

коэффициент гармоник %, при /=1 кГц и выходной мощности 0,05 и 2,5 Вт...........................I.......„.,....................................2

Тепловое сопротивление на границе кристалл-окружающая среда, °С/Вт,

не более......................................................................100

Тепловое сопротивление на границе

кристалл-корпус, °С/Вт, не более......................20