Рис. 4.40 б. Назначение выводов ИМС К175УВ2А.Б

сторе VTI и резисторах R2, R3. Резисторы R6, R7 служат для подачи напряжения смещения в цепи баз дифференциальной пары транзисторов VT4, VT6.

В зависимости от полосы пропускания ИМС К175УВ2 подразделяются на группы А и Б. Микросхемы К175УВ2А имеют верхнюю граничную частоту около 40 МГц, К175УВ2Б - около 55 МГц. В связи с тем, что ДУ предназначен для работы на переменном токе, параметры по постоянному току /вх. Д/вх и ДР-) контролируются.

На рис. 4.41 изображена схема одного из возможных УВЧ с регулируемым коэффициентом усиления, реализованный на ИМС К175УВ2. На рис. 4.42 а показана зависимость коэффициента усиления этого усилителя от управляющего напряжения.

Зависимость крутизны вольт-амперной характеристики ИМС К175УВ2 от температуры окружающей среды приведена на рис. 4.42 б.

Электрические параметры ИМС К175УВ2 при 25±10°С и £/„,„„=+6 В

Ток потребления 1, мА, при U=0,

не более............................................,......<...................3,5

Крутизна вольт-амперной характсеристи-

ки S, мА/В, при i/g=0, lie: мснйе.....................10

Коэффиииент iliyMa К. дБ, при

/=20 МГц, не более...........................................Ю

Коэффициент передачи по цепи АРУ

АСдру, дБ:

при и,,=10 мВ, /=1 МГц.......................60

при £/,=10 мВ, /з=10 МГц.....................40

С10,068МН

Выход

" 5

1 c\\!jrfwin> I

Ш1 0,068мн J- J 4==1.

ffMBMK

ЛА1 К175УВ2

J- 0,068MK

Рис. 4.40 в. Типовая схема включен ИМС К175УВ2

Входное сопротивление R , кОм, при

/j;=100 кГц, не менее.,

Коэффициент ослабления синфазного

напряжения , дБ................................

Напряжение на выводах 4, 5 i/, U,

В, при £/=0....................................................3,5.-

Напряжение на выводах 10, 11, Uy,

£/ц. В, при и=0.......

Ml КП 5 У 82

RI300

Вход

СЗ, выход

" 0,1 пн RZ

±.0,1 мн

Рис. 4,41 Схема усилителя высокой часто с регулируемым коэффициентом усиления ИМС К175УВ2АБ

2,У 2,8 J,2Uy,e

Рис. 4.42 а. Зависимость коэффициента усиления от управляющего напряжения при различной коллекторной нагрузке vt6 для ИМС К175УВ2

мА/В

-W-гО о 20 40 t„p ,p,c

Рис. 4.42 б. Зависимость крутизны вольт-амперной характеристики ИМС К175УВ2 от температуры окружайщей среды

Предельные эксплуатационные параметры ИМС К175УВ2

Ток потребления 1, мА при U=0,

f„.n=6,6 В, f„,p,p=-45°C не более.....................4

Напряженке источника питания на выводе 8 £/„j,. В, не более.......................................6,6

Входное напряжение £/, В............................-2...+2

Синфазное входное напряжение ,

В..................................................................;..........-3...+3

Напряжение между выводами 5 и /,

и 1, £/j, и, В, не более..........................................9

Ток коллектора эмиттерных повторителей 1, мА не более.................................................2

Обратное напряжение на базах транзисторов vt2, vt3 и, В, не бо-

лее..

Рассеиваемая мощность Р мВт, на одном транзисторе (ут2, vt3) при

Коэффициент нестабильности, %, кру-

тизны вольт-амперной характеристики ASra при -45...+85°С...............

ИМС К175УВЗА, К175УВЗБ (] 4.43) представляют собой широкс лосный усилитель с малой потре? емой мощностью. ИМС содер; двухкаскадный усилитель на Tpai сторах VTJ:..VT3 и транзистор V на котором можно построить вход] или выходной эмиттерный повто тель.

В зависимости от крутизны вох амперной характристики ИМС п разделяются на группы . А и К175УВЗА имеют крутизну 250 мА К175УВЗБ - 400 мА/В.

Между выводами б и 8 микрос мы допускается включать внеши резистор сопротивлени

0,1...10 кОм. Разрешена работа И! на нагрузку сопротивлением не ме1 200 кОм и емкостью не более 10 i а также на последовательный ре нансный контур.

Электрические параметры ИМС К175УВЗ г 25±10С и £/„,„„„=6 В

Ток потребления /„, мА при

£/=1 мВ, не более...............................................

Верхняя граничная частота f, МГц,

при и=\ мВ, не менее.....................................

Коэффициент щума А, дБ, при

/д=1,6 МГц, не более.............................;............,

Входная емкость С, пФ, при

/щ=1 Mfli, не более..............................................

Входное сопротивление Л, Ом, при

/„=100 кГц, не менее..........................................

• 50...+30 Рис. 4.43 а. Принципиальная схема ИМС K175i

Вход

- Обратная связь /

- Обратная сСязь г База транзистора Эмиттер транзистора

С! OJ

ВА1К175УВ31А.В)

д Выход

Рис. 4.43 б. Назначение выводов ИМС К175УВЗА.Б

Рис. 4.43 в. Ткповая схема включения ИМС К175УВЗ

Предельные эксплуатационные параметры ИМС К175УВЗ

Ток потребления 1 мА.

окр.ср=-45"С,

более......................................................

{/„=1 мВ

при не

Коэффициент нестабильности вольт-амперной характеристики Дд, %,

при oKoV

+85*С.......................................................

..25

.....................................................-50

-45С (для К175УВЗА).............................-30

-45°С (для К175УВЗБ).............................+35

Напряжение источника питания V.,

В, не более......................................................

Амплитуда импульсов входного напря-

..6,6

жения l/gjj, В, не более....

Ток коллектора эмиттерного повторителя мА не более...............................................2

Обратное напряжение 1/,, В, на базе транзистора эмиттерного повторителя, не более..................................................................3

Рассеиваемая мощность Р„„„ мВт, на

росс

транзисторе эмиттерного повторителя, при t <+85°С, не балее..............

, охр.ср

ИМС К175УВ4 (рис.14) представляет собой однокаскадный дифференциальный усилитель, предназначенный для усиления сигналов высокой частоты. Микросхема состоит из диф-. ференциальной пары транзисторов VT2, VT4, генератора стабильного тока (ГСТ) на транзисторе VTSfVi цепи смещения, состоящей из резисторов К1..Яб и транзистора VT1 в диодном включении. Цепь смещения служит для задания режима работы ГСТ и температурной стабилизации этого режима. Резисторы R8, RIO могут быть использованы, например, для

образования цепей смещения . дл* транзисторов VT2, VT4.

Для увеличения крутизны преобра> зования вольт-амперной характери стики допускается подача напряже ния питания 6 В на вывод Ц ИМС,

Электрические параметры ИМС К175УВ4 пр»

25±10°С и 1/„,.„„„=6.3 В

Ток потребления 1, мА при 1=0,

не более..................................................................1,8..

Напряжение на выводе 9 Ц,, В.....................3...4

Напряжение на выводе II 1/, В....................2...2

-----г - . .

Напряжение на выводе 12 В..

Напряжение на выводе 13 U

..1,3...]

в...................................-.........................................0,9...

Напряжение между выводами 10 к 2

170.2 В..

............................-0,2...+(

Рис. 4.44 а. Принципиальная схема ИМС К175УВ4

. Выход эмиттера

ВходЗ

Цепь нагрузниЗ Цепь нагрузки 2 Выход 1

Цепь нагрузки 1

о,„

Рис. 4.44 б. Назначение выводов ИМС К175УВ4

Крутизна вольт-амперной характеристи-мА/В, при и =10 мВ и

1 МГЦ, не менее.,

Коэффициент шума К , дБ, при

/щ,=20 МГц, не более..

..10

Коэффициент АРУ ЛГдру, дБ, при

i/j3=10 мВ, /„=1 МГц, не менее..

..60

Верхняя граничная частота /, МГЦ, при V =10 мВ, не менее...................................150

Предельные эксплуатационные параметры ИМС К175УВ4

Напряжение питания на выводе 8 U, В:

минимальное........................................................3

максимальное...................................................9.5

Напряжение между выводами Ю и 1,

2 к 1, f/Qj, f/jj, В, не более..........................12,5

входное дифференциальное наг(ряже-

......................................-2...+2

«ие 1/„.д„ф. В„. Входное синфазное напряжение „,

В...........................................................................

Входное напряжение по выводу 13 -iiy в ие более......................................

..1,2

Коэффициент небта&шьностй дольт-ам-перной характеристики При

{/=10 мВ,

/=0,1 МГц

окр.ср

+85.

.-40...+10

-45°С.....................................................-10...+40

ИМС К175ДА1 (рис. 4.45) содержит детектор амплитудно-модулирован-ного сигнала и детектор автоматической регулировки усиления (АРУ) с усилителем постоянного тока (УПТ).

Электрические параметры ИМС К175ДА1 при 25+10°С и £/„.„.„=6 в

Ток потребления мА не бсмгеч.....................3.5

С/ 0.068МК Г 11

R1 75

%06&№

DAI К175УВ1

Рис. 4.44 в. Типовая схема включения ИМС К175УВ4

Напряжение на выводе 9 V, В..

..1,0;..2,

.,2...4,4 Напряжение на выводе 12 U

Коэффициент передачи <• детектора

х.п П1Я1 v-m мВ,

/g=65 МГЦ, не менее................................

Коэффициф1*г (Ы?р1ёдачи по цепи АРУ

ерАР5> при

/„=65 МП1, не менее

..0,12...0,

£/,,=50 мВ,

Предельные эксплуатационные параметры ИМС К175ДА1

),и /.

Напряжение питания В;

хоиимальнбе.....................................................

максимальное...................................................i

ИМС К175Кт (рис. 4.46) пре ставляет собой регенеративный анал говый делитель частоты для связн! аппаратуры.

Общий.

Фильтр

Вход 2 Фильтр 1 Фильтр 2 Фипылр 3 Фильтре -

Резистор

Выход / Вход 1

выход 2

Рис. 4.45 б. Назначение выводов микросхемы К175ДА1

12 11 3 2 14 3614 7 S 3

Рис. 4.45 а. Принципиальная схема ИМС К175ДА1

Вход

0,1 мн

R1 ОТмн 75

л.1мк

0,1 ПК

Вы/ад

0,1 МК

Рис. 4.45 в. Типовая схема включения ИМС К175ДА1

В пню

Рис. 4.46 а. Принципиальная схема ИМС К175ПК1

1«Л

Выход 1 Выход 2 блокировка Вход2 Вход! ;,/Юкировка

0SUJ,ULL

1 14

2 13 12

4 Ч Г1

6 ч

. Выход

Вход

. Впокиробка . ВходЗ • Вход 4

Рис. 4.46 б. Назначение выводов микросхемы к;/5ПК1

Основным узлом ИМС является счетверенный дифференциальный усилитель с перекрестными связями на транзисторах VT8, VTIO и VT12, VT14. Два других дифференциальных усилителя на транзисторах VT3, VT7 и VT16, VT19, VT9, \Т13 управляют работой основного узла. Внутренний стабилизатор (резисторы Я8..Я15, диоды VD1...VD4, транзисторы VT20...VT23) обеспечивает стабильную работу ИМС по постоянному току и задает смещение на транзисторы УГ4, VTI, VT17, поддерживая эмиттерный ток дифференциальных усилителей постоянным.

Х1ектрические параметры ИМС К175ПК1 при 25±10Т и i/„.„.H„«=6 В

1ок потребления мЛ не более........................1

Предельные эксплуатационные параметры ИМС К175ПК1

Напряжение питания В:

минимальное.....................................................5,4

максимальное...................................................6,6

4.5. СЕРИЯ К525

Серия К525 представляет собой комплект ИМС, предназначенных Для аналоговой обработки и преобразования сигналов в устройствах авто->1атического управления радиоаппаратуры, а также измерительных и вычислительных устройствах аппаратуры связи. Микросхемы выполнены ,на биполярных транзисторах с изоляцией р-п переходом.

Состав серии

К525ПС1А,Б - аналоговый пер множитель сигналов средне класса точности (преобразо! тель спектров)

К525ПС2А,Б - четырехкратнь аналоговый перемножите: сигналов с операционным ус лителем на выходе (преобраз ватель спектров). Конструкция микросхемы выпус* ются в прямоугольных металлокер мических корпусах 201.14 -10 с пе пендикулярным расположением bi водов.

Основные эксплуатационные хара теристики приведенных типов микр схем помещены в табл. 4.5.

ИМС К525ПС1А, К525ПС1 (рис. 4.47) представляют собой анал говый перемножитель сигналов i основе дифференциальных усилит лей, могут использоваться в умнож. телях частоты, фазовых детекторе балансных модуляторов, а также пр меняться в системах автоматическо регулирования в качестве перемнож телей и узлов возведения в степе Совместно с операционными усил телями аналоговые перемножите могут выполнять деление, извлечен корней и выделение тригонометри ских функций.

ИМС (рис. 4.47 а) состоит из дв дифференциальных усилителей, ко рые управляют работой основного ла перемножения на транзистор VT12, vy,"Vtl6, VT19. Диффер циальныи-усилитель на транзистор VT10, VT14, VT17, VT20 задает р ность токов эмиттеров двух пар тр зисторов узла перемножения проп ционально входному дифференци ному сигиатгу;<ч Зависимость то эмиттеров перемножителя от нап жения на входе У имеет нелинейн характер, что не позволяет получ хорошую линейность на выходе. Ч бы получить линейную зависим выходного напряжения при больш уровне напряжения по входу У, п ходится предварительно прологари