>>

S. о m X

«3

2:3; > S Э- = °Q <o to ? 5 "5

S £ S Й С S *•

тттщ:

a: =c a;

Э-, Э- Э- 4.

«J *J

a: a; ?:

X 8 e 5 S X

«Q (Q <Q Э1 «3 CQ iq

C11 0,035MK

вход 1

Выход 1

+15Ь

сг юоыкхгзв

общий

R1 10к

Управление УпраВление

Вход 2

DAI ктуню

Выход 2

C12 0fi35MK R7 39К R11 39к Рис. 2.13 г. Ътовая схема включения ИМС К174УН10

операционного усилителя (ОУ) на транзисторах VT17...VT24

(VT26...VT33). Неинвертирующий вход ОУ базы транзисторов VT22, VT26 соединен с внутренним источником опорного напряжения на элементах VD3...VDJ0, VT25. Выходной сигнал ОУ снимается с двух последовательно включенных эмиттерных повторителей на транзисторах VTI8, VT19 (ут31, VT32). В зависимости от коэффициента гармоник и уровня шума ИМС К174УН10 подразделян»-ся на группы А и Б.

Переменными резисторами R9 регулируют высокочастотное составляющие, R16 - низкочастотные (см. рис. 2.13 г).

Зависимости ряда основных параметров от режимов эксплуатации приведены на рис 2.14-2.15,

Рис. Z14 а. Лмшвп-уд1К><1астотная характеристика пщ различных уретиях регулировки каж-д(Ях> из двух каналов дад выводов i2, 4

712-

I I

Рис. 2.14 б. Регулировочная характеристика Рис. 2.14 в. Регулировочная характернее каждого из двух каналов микросхемы на часто- каждого из двух каИалов микросхемы на ч те 15 кЩ те 40 Гц

11 8

-12 -П -16

2 [S]U,iz,6

Kyv,

Рис. 2.14 д. Регулировочная характе]жстика каждого из четырех усижгелей на частоте 1 кГи при различной температуре окрузкаю-щей среды

Рис. 2.14 г. Регулировочная характеристика каждого из четырех усшителей на частот* 1 кШ При различном иапряжеш» питания

-yv,AB

Рис. 2.14 е. Регул ная характеристика из четырех ус частрте 1 кГи при ряжении

hi,:

13/ П П,5 15 UvnjB

Рис. 2.15 а. Зависимость коэффициента уси-1ения канала НЧ от напряжения питания при (апряжении 10 В на выводе 4 для ИМС (174УН10

15 10

13,5 П П,5 15 и„, В

Рис. 2.15 б. Зависимость коэффициента уси-пения кана.ла ВЧ от напряжения питания при напряжении 10 В на выводе 12 для ИМС К174УН10

lt/,v НЧ) АВ 20

18 17

Щ5 П 1%5 15 Ц,5

Рис. 2.15 я. Зависимость коэффициента уси- •"ия канала НЧ от напряжения гоггания при

Ч.и&ч

, /3,5 П 1%5 15 и,,,, В :j

Рис. 2.15 г. Зависимвстк квэффициенга уси- / ления канала ВЧ от нанряжеиия питания при напряжении 1 В на й.1Воде 12 для ИМС К174УН10 I

InoTj 27

26,5

26 25,5

п,5 п 1%5 15 Uu.t";l.:

Рис. 2.15 д. Зависимость тока потребления, от напряжения питания для ИМС КШУНЙ)

,0,05

Ц5 ПП,5 15и.п,Ь

Рис. 2.15 е. Зависимость кбф(}»1ииента гар-моюж от напряжения питания для ИМС

К174УН10 :

Рис. 2.15 ж. Зависимость коэффициента гар- -hIJT-on an Г-z моник от температуры ИМС К174УН10 , , •HJ и W I, L

Электрические параметры ИМС К174УН10А.Б

прн 25±10°С и 1/„„„„-15 В

Ток потребления 1 мА, не более..

..40

Коэффициент усиления по напряжению

Kjfj, не менее.................................................

Коэффициент ослабления по напряже-

.15 дБ

не менее..

Коэффициент гармоник лее

ИМС К174УН10А.......

не бо-

.15 дБ

..0,2

-ИМС К174УН10Б..........................................0,5

Напряжение шумо» на выходе U, мВ, не более

ИМС К174УН10А.........................,.................50

ИМС К174УН10Б........................................100

Отношение сигнал/шум дБ, не менее

ИМС К174УН10А...........................................66

ИМС К174УН10Б..;........................................60

Выходное напряжение U., В, при 1/=100 мВ, /=1 кП1

на вьюодах 3, 5...................................0,35...0,6

на выводах И, 13.................................0,7...1,2

Предельные эксплуатационные параметры ИМС К174УН10АЗ

Напряжение питания В----------------.......135...164

Управляющее напряжение (выводы 4,

12) 1/ В, не более.......................................:....l2

Напряжение U, В, т выводах 1, 2, 6,

7, 9, 10, 14, 15, не более.......................................1

Сопротивление нагрузки R, кОм, не

менее................................................................................5

ИМС К174УН11 (рис. 2.16) пр< ставляет собой усилитель мощное звуковой частоты. По структурн схеме напоминает ИМС К174У1 Однако вследствие применения дц ференциального усилителя в качест входного каскада УНЧ, двухтактн< выходного усилителя и двуХполяр! го напряжения питания (±15 В) j рактеристики УНЧ значительно ул шены. Например, обеспечена вых ная мощность до 15 Вт на нагру сопротивлением 4 Ом, при этом эффициент гармоник не превыщ 1 %.

Входной каскад усилителя строен по дифференциальной схе на транзисторах VT7, VT9...VT11,

грузкой каскада являются транзис ры VT14, Vfl5, включенные как нераторы тока. Эмиттерные щ VT7, VT9 питаются от источника j ка на транзисторе VT6. Выход! сигнал дифференциального касв поступает на каскад усиления по пряжению на транзисторах VI VT23, в качестве коллекторной грузки которого включен VT16 генератор тока.

В двухтактном выходном кас! используются транзисторы V VT26, образующие одно плечо VT30, VT3i - другое. Начал смещение выходного каскада и пературная стабилизация тока п> выходных транзисторов обеспечи ся транзисторами VTJ8...VT2L

Зашдта от короткого замыкания

ВкоЗноа каскад

Теп/юдая защита

Усияитеяьныа каскад

Мощный Выходной каскад

»5- ТЭ

Рис. 2.16 а. Структурная схема ИМС К174УН11

К17ЧУИ11

9 а

Рис. 2.16 б. Принципиальная схема ИМС К174УН11

Коррекция Коррекция Обратная связь

Рис. 2.16 в. Распатожение и назначение выводов ИМС К174УН11

-ь 15& СЗ 200МК X 25В

-I-Г

05щий Ф/ ф Вход С5 OjiMK

R1 WOk

R3 ЮОк

mi К17ЧУН11

-15В

С2 0,1 м к

5мк X 25В 200МК X 255

Выход

ф С7 68

1

X са

X 0,1 МК

Рис. 2.16 г. Типовая схема включения ИМС К174УН11